３つのアプローチでナノ粒子製法を開発 高分子基板への微細配線形成に展開   　次世代シートデバイスを実現するためには、フレキシブルな高分子基板に配線形成できる材料が必要です。一般に電子回路に使われる金属の融点は1000℃前後と高温ですが、金属粒子の粒子径を数十nm以下にすると融点降下・低温焼結性といった特異な性質が発現し、300℃以下の低温焼成で導電薄膜化できます。このようなナノメートルサイズの金属粒子をペースト化し、スクリーン印刷法で高分子シート上に微細な配線パターンを印刷、低温焼成による配線形成をめざしています。 　 しかし、金属ナノ粒子を製造するには複雑な工程が必要であったり、一度に少量しか合成できないのが実情です。そこで金属ナノ粒子の大量合成法を確立するため、高度に制御された金属ナノ粒子の低コスト、低環境負荷、省エネルギー大量製造プロセスとして、①金属錯体を出発物質とする熱分解法・アミン還元法、②超臨界流体を反応場とする水熱合成プロセス、③金属イオンを反応試剤とする水溶液中還元プロセスという３つのアプローチでナノ粒子製法を研究開発します。 　 金属ナノ粒子の粒子成長機構の解明と金属ナノ粒子の微細構造制御および熱特性に関わる機能設計を行い、スクリーン印刷によりフレキシブルな高分子基板に微細配線できるナノマテリアルを開発するとともに、高度なナノめっき技術の併用により微細配線を高性能化する技術の確立をめざします。